HBM3E 12H DRAM รีวิวความสามารถ และข้อดีของชิปตัวใหม่ จาก Samsung [1] ซึ่งเป็นชิปที่มีความจุสูงที่สุดของโลก ณ ตอนนี้ จากที่ทางบริษัท Samsung Electronics ออกมาประกาศว่า ทางบริษัทได้พัฒนา HBM3E 12H ซึ่งเป็นชิปตัวชิปตัวแรกของอุตสาหกรรม ที่มีความจุสูงสุด ในปัจจุบัน
ความสามารถ HBM3E 12H DRAM และข้อดีต่าง ๆ
จากคำเปิดตัว ชิปตัวใหม่ “ ผลิตภัณฑ์ตัวใหม่ของเรา ตัวนี้ ออกมาแบบมาเพื่อรองรับผู้ให้บริการ Ai ในอุตสาหกรรมที่ต้องการความจุ HBM ที่สูงมากขึ้น ผลิตภัณฑ์ตัวนี้ ได้ถูกออกแบบมา เพื่อความต้องการ ดังกล่าว ”
โดยสำหรับความสามารถของ HBM3E 12H จะเป็นชิปหน่วยความจำ DRAM รุ่นใหม่ที่พึ่งเปิดตัวไป จากบริษัท Samsung [1] ตัวชิปมาพร้อมความจุสูง ถึง 36GB โดยเป็นชิปที่มีความจุมากสุดของโลก ณ ขณะนี้ ความสามารถต่าง ๆ และข้อดีของชิป HBM3E 12H หลักๆ จะมีเบื้องต้น ดังนี้
ความสามารถของ HBM3E 12H
- เรื่องความจุ : 36GB มีความจุมากกว่า รุ่น HBM3 8H ถึง 3 เท่า
- แบนด์วิดท์ ( การรับส่งข้อมูล Data ) : 1,280GB/s เร็วกว่ารุ่น HBM3 8H มากถึง 50%
- จำนวนชั้น : ผลิตด้วยเทคโนโลยี Through - Silicon Via ( TSV ) 2 ชั้น
- การกินไฟ : 1.2V ต่ำกว่ารุ่น HBM3 8H
- รองรับ : AI, HPC, Data Center, 5G
ข้อดีของ HBM3E 12H
- มีความจุที่เยอะ : เหมาะกับการใช้งาน และคนที่ต้องการพื้นที่เก็บข้อมูล ขนาดใหญ่
- แบนด์วิดท์สูง ( การรับส่งข้อมูล Data ) : แบนด์วิดท์ที่สูง จะช่วยให้การประมวลผลข้อมูล มีความรวดเร็วมากยิ่งขึ้น เหมาะกับผู้ที่ต้องการความรวดเร็ว ในเรื่องของการใช้งาน
- กินไฟน้อย : ตัวชิป จะมีส่วนช่วยให้อุปกรณ์ ประหยัดพลังงานมากกว่าเดิม
- รองรับเทคโนโลยีที่มาใหม่ : รองรับระบบ AI หรือ 5G เพื่อก้าวเข้าสู่โลกอนาคตยุคใหม่
สรุป HBM3E 12H DRAM ชิปความจุ 36GB จาก Samsung
จากการเติบโต อย่างรวดเร็วของ Ai ชิปตัวนี้ ของบริษัท Samsung จึงถูกออกแบบมา เพื่อเพิ่มพื้นที่ให้กับผู้ที่ต้องการการใช้งานชิปความจุที่มาก และมีความรวดเร็ว ซึ่ง ณ ตอนนี้ HBM3E 12H เป็นตัวชิปที่มีความจุสูงสุดของโลก ด้วยความจุ 36GB โดยอาจเป็นตัวโซลูชันที่ดี และมีประสิทธิภาพที่สุด ในอนาคต
อ้างอิง
[1] samsung. (February 27, 2024). Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H. Retrieved from samsung
